Samsung 4TB 990 EVO Plus SSD-levy, PCIe 5.0 x2, NVMe 2.0, M.2 2280, 7250/6300 MB/s

Päivitä jokapäiväinen suorituskyky

• Suorituskyky - Jopa 7 250 Mt/s peräkkäinen lukunopeus, 45 % nopeampi kuin 990 EVO -mallissa.
• Energiatehokkuus - Energiatehokkuus parani 73%, mikä lisää Mt/s wattia kohden säilyttäen samalla suorituskyvyn ja lämmönhallinnan.
• Monipuolisuus - Jopa 4 Tt:n laajennettu kapasiteetti ja nopea IntelligentTurboWrite 2.0 laajennetulla TurboWrite-alueella.

Upea nopeus joka päivä
Suorita tehtävät nopeammin. 990 EVO Plus uusimmalla NAND:lla tarjoaa tehostetut peräkkäiset luku-/kirjoitusnopeudet jopa 7 250/6 300 Mt/s. Valtavat tiedostot, välitön siirto.

Viileää tehoa läpi päivän
Optimoitu tehokkuus, laajennettu suorituskyky. Nikkelipinnoitettu ohjain lisää Mt/s wattia kohti 73%, saavuttaen saman tehotason ja lämmönhallinnan pienemmällä virrankulutuksella. Keskity työhön tai leikkiin ilman huolta ylikuumenemisesta tai akun kestosta.

Lisätilaa. Lisänopeutta.
Hyödynnä asemasi koko teho parannetun Intelligent TurboWrite 2.0:n avulla. Käsittele massiivisia tietoja nopeammin ja käy vaivattomasti läpi raskaat grafiikat laajennetulla TurboWrite-alueella, joka on nyt saatavilla 4 Tt:n kapasiteetilla.

Samsung Magician -ohjelmisto
Saa SSD toimimaan kuin taika. Samsung Magician -ohjelmiston optimointityökalut varmistavat parhaan SSD-suorituskyvyn. Se on turvallinen ja helppo tapa siirtää kaikki tietosi Samsung SSD -päivitystä varten. Suojaa arvokkaita tietoja, seuraa aseman kuntoa ja hanki uusimmat laiteohjelmistopäivitykset.

Herättää innovaatiot henkiin
Samsungin NAND-flash-muistit ovat jo vuosikymmenien ajan tukeneet uraauurtavaa teknologiaa, joka on muuttanut jokapäiväisen elämämme jokaista osa-aluetta. Tämä NAND-flash-teknologia toimii myös kuluttajille suunnattujen SSD-levyjemme voimanlähteenä, mikä antaa tilaa seuraavalle suurelle innovaatiolle.

Tekniset tiedot:

Yleistä
Käyttökohde: Client PC
Väylä: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0

Rauta
Kapasiteetti: 4TB 
Kontrolleri: Samsung in-house controller
NAND Flash Memory: Samsung V-NAND TLC
Cache Memory: HMB (Host Memory Buffer)
Mitat: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm (maks.)
Form Factor: M.2 (2280)

Suorituskyky 
Vaiheittainen luku: Jopa 7250 MB/s
Vaiheittainen kirjoitus: Jopa 6300 MB/s

Random Read(4KB, QD32): 1050K IOPS

Random Write(4KB, QD32): 1400K IOPS

Luotettavuus
Lämpötila: 

• Käyttö: 0°C ~ 70°C

Isku (säilytys): 1,500G (Gravity), kesto: 0.5ms
MTBF: 1,5 miljoonaa h

Takuu
TBW: 2400 TB
Kesto: 5 vuotta, rajoitettu

Tuetut ominaisuudet
TRIM (Vaatii käyttöjärjestelmätuen), Garbage Collection, S.M.A.R.T

Tiedon turvallisuus
AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)